目前经常用到的大功率二极管有：普通整流二极管、快速二极管、快速软恢复二极管、肖特基二极管。着重介绍后三种。

1）快速恢复二极管（Fast Recovery Diode)

GTO，MCT，IGBT等，都需要一个与之并联的快速二极管，以通过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。该二极管必须具有快速开通和高速关断能力，即具有短的反向恢复时间trr，较小的反向恢复电流IRRM。国际上快速二级管的水平已达到2500A/3000V，300ns。

2）快速软恢复二极

快速软恢复二极管与上述快速二极管相比具有更快更软的恢复特性。高频化的电力电子电路不仅要求快速恢复二极管的正向恢复特性较好，即正向瞬态压降小，恢复时间短;更要求反向恢复特性也较好，即反向恢复时间短，反向恢复电荷少，并具有软恢复特性。

3）肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)

肖特基势垒二极管简称肖特基二极管。它不是PN结，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管。　由于肖特基二极管的开关速度非常快，开关损耗也特别小，反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，尤其适合于高频应用。其正向压降低，仅0.4V左右，比PN结二极管低(约低0.2V)。而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，反向漏电流比PN结二极管也大。

下表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快速恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。